Что означает ddr2. Как узнать тип оперативной памяти
Сейчас актуальным стандартом оперативной памяти является DDR4, но в использовании все еще находится множество компьютеров с DDR3, DDR2 и даже DDR. Из-за такого оперативной памяти многие пользователи путаются и забывают какая именно оперативная память используется на их компьютере. Решению этой проблемы и будет посвящена данная статья. Здесь мы расскажем, как узнать какая оперативная память используется на компьютере DDR, DDR2, DDR3 или DDR4.
Если у вас есть возможность открыть компьютер и осмотреть его комплектующие, то всю необходимую информацию вы можете получить с наклейки на модуле оперативной памяти.
Обычно на наклейке можно найти надпись с названием модуля памяти. Это название начинается с букв «PC» после которых идут цифры, и оно указывает на тип данного модуля оперативной памяти и его пропускную способность в мегабайтах за секунду (МБ/с).
Например, если на модуле памяти написано PC1600 или PC-1600, то это модуль DDR первого поколения с пропускной способностью в 1600 МБ/с. Если на модуле написано PC2‑ 3200, то это DDR2 с пропускной способностью в 3200 МБ/с. Если PC3 – то это DDR3 и так далее. В общем, первая цифра после букв PC указывает на поколение DDR, если этой цифры нет, то это простой DDR первого поколения.
В некоторых случаях на модулях оперативной памяти указывается не название модуля, а тип оперативной памяти и его эффективная частота. Например, на модуле может быть написано DDR3 1600. Это означает что это модуль DDR3 c эффективной частотой памяти 1600 МГц.
Для того чтобы соотносить названия модулей с типом оперативной памяти, а пропускную способность с эффективной частотой можно использовать таблицу, которую мы приводим ниже.
| Название модуля | Тип оперативной памяти |
| PC-1600 | DDR-200 |
| PC-2100 | DDR-266 |
| PC-2400 | DDR-300 |
| PC-2700 | DDR-333 |
| PC-3200 | DDR-400 |
| PC-3500 | DDR-433 |
| PC-3700 | DDR-466 |
| PC-4000 | DDR-500 |
| PC-4200 | DDR-533 |
| PC-5600 | DDR-700 |
| PC2-3200 | DDR2-400 |
| PC2-4200 | DDR2-533 |
| PC2-5300 | DDR2-667 |
| PC2-5400 | DDR2-675 |
| PC2-5600 | DDR2-700 |
| PC2-5700 | DDR2-711 |
| PC2-6000 | DDR2-750 |
| PC2-6400 | DDR2-800 |
| PC2-7100 | DDR2-888 |
| PC2-7200 | DDR2-900 |
| PC2-8000 | DDR2-1000 |
| PC2-8500 | DDR2-1066 |
| PC2-9200 | DDR2-1150 |
| PC2-9600 | DDR2-1200 |
| PC3-6400 | DDR3-800 |
| PC3-8500 | DDR3-1066 |
| PC3-10600 | DDR3-1333 |
| PC3-12800 | DDR3-1600 |
| PC3-14900 | DDR3-1866 |
| PC3-17000 | DDR3-2133 |
| PC3-19200 | DDR3-2400 |
| PC4-12800 | DDR4-1600 |
| PC4-14900 | DDR4-1866 |
| PC4-17000 | DDR4-2133 |
| PC4-19200 | DDR4-2400 |
| PC4-21333 | DDR4-2666 |
| PC4-23466 | DDR4-2933 |
| PC4-25600 | DDR4-3200 |
Использование специальных программ
Если же ваши модули оперативной памяти уже установлены в компьютер, то вы можете узнать к какому типу они относятся с помощью специальных программ.
Самый простой вариант - это воспользоваться бесплатной программой CPU-Z. Для этого запустите CPU-Z на своем компьютере и перейдите на вкладку «Memory». Здесь в левом верхнем углу окна будет указан тип оперативной памяти, который используется на вашем компьютере.
Также на вкладке «Memory» можно узнать эффективную частоту, на которой работает ваша оперативная память. Для этого нужно взять значение «DRAM Frequency» и умножить его два. Например, на скриншоте внизу указана частота 665.1 МГц, умножаем ее на 2 и получаем эффективную частоту 1330,2 МГц.
Если вы хотите узнать какие конкретно модули оперативной памяти установлены на вашем компьютере, то эту информацию можно получить на вкладке «SPD».
Здесь можно узнать, сколько модулей памяти установлено, кто их производитель, на каких частотах они могут работать и многое другое.
Что за стандарт такой - DDR3? Память Synchronous Dynamic Random Access Memory, третье поколение стандарта Double Data Rate - попросту DDR3 SDRAM , представляет собой новое поколение памяти DDR, идущей на смену нынешнего поколения DDR2 SDRAM. Архитектура современной динамической памяти DRAM перешагнула этапы одиночной и двойной скорости передачи данных, и теперь, на этапе DDR3, мы можем говорить о поконтактной пиковой производительности до 1,6 Гбит/с на сигнальный контакт для DDR3 (100 Мбит/с на контакт у SDRAM). При сохранении основного строения архитектуры, ключевым изменениям подверглись цепи предварительной выборки данных (prefetch) и дизайн шин I/O. Говоря упрощённо, в случае DDR3 каждая операция чтения или записи означает доступ к восьми группам данных (словам) DDR3 DRAM, которые, в свою очередь, с помощью двух различных опорных генераторов мультиплексируются по контактам I/O с частотой, в четыре раза превышающей тактовую частоту.
Среди основных преимуществ нового стандарта, прежде всего, стоит отметить меньшее энергопотребление, примерно на 40% чем у ходовых образцов модулей DDR2. Основной причиной экономии энергопотребления называют использование нового поколения чипов памяти DDR3, выпуск которых налажен у большинства производителей с соблюдением норм 90 нм техпроцесса. Это позволяет снизить рабочие напряжения чипов – до 1,5 В у DDR3, что ниже 1,8 В у DDR2 или 2,5 В у DDR; плюс, дополнительно снизить рабочие токи за счёт использования транзисторов с двумя затворами для снижения токов утечки. На практике это приведёт к тому, что, к примеру, у модулей DDR3-1066, значительно превышающих по производительности модули DDR2-800 и на 15% потребляющих меньше в спящем режиме, энергопотребление будет сравнимо с модулями DDR2-667. Имеет ли новая оперативная память DDR3 какое-то отношение к графической памяти GDDR3 в видеокартах или приставках Xbox 360? Нет, не имеет. Под схожими названиями скрывается разная архитектура, с совершенно несхожими схемами буферизации и т.д. Так что отныне лучше не смешивать термины "DDR3" и "GDDR3". Каковы основные функциональные особенности памяти DDR3? Основные особенности архитектуры чипов DDR3 SDRAM таковы:
- Появление контакта асинхронного сброса (RESET)
- Поддержка компенсации System Level Flight Time
- "Зеркальная" цоколёвка чипов с удобным расположением контактов для сборки модуля DIMM (On-DIMM Mirror friendly DRAM ballout)
- Появление скоростного буфера CWL (CAS Write Latency)
- Внутрикристальный модуль калибровки I/O
- Калибровка READ и WRITE
- Типичные (ожидаемые) маркировки чипов в зависимости от скорости: DDR3-800, DDR3-1066, DDR3-1333, DDR3-1600
Основные особенности модулей DDR3:
- "Сетевая" Fly-by топология командной/адресной/управляющей шины с внутримодульной (On-DIMM) терминацией
- Прецизионные внешние резисторы (ZQ resistors) в цепях калибровки
Увы, на нынешнем этапе архитектура DDR2 начинает фактически "упираться" в потолок своих возможностей, что завязано на тактовые частоты процессоров и топологию шин. Сейчас пока рано говорить о сроке жизни DDR3, однако не будет ничего невероятного, если через три года ей на смену придёт что-то вроде DDR4. Такова жизнь. Так каков же "потолок" тактовых частот модулей памяти DDR3 DIMM? Пока что речь идёт о чипах DDR3-1600, на базе которых будут выпускаться модули PC3-12800 с пропускной способностью до 12,80 Гб/с. Однако в документации Intel уже встречалось упоминание того, что DDR3 теоретически может быть масштабирована до частот вплоть до 2133 МГц. Есть ли физическая разница между модулями DDR2 и DDR3? Модули памяти DDR3 DIMM для настольных ПК будут обладать 240-контактной структурой, привычной нам по модулям DDR2; однако физической совместимости не будет благодаря различному расположению ключей DIMM. Такая "защита от дурака", предотвращающая установку модулей DDR3 в платы под DDR2 и наоборот предусмотрена не только по причине поконтактной несовместимости модулей, но и в связи с разными напряжения питания и сигнальными уровнями разных поколений оперативной памяти. Какие типы модулей DDR3 будут типичным явлением на рынке памяти? Ожидается, что модули памяти DDR3 будут выпускаться в вариантах Registered DIMM, Unbuffered DIMM, FB-DIMM, SO-DIMM, Micro-DIMM и 16-бит/32-бит SO-DIMM. Относительно форм-факторов памяти DDR3 – что критично для рынка серверов, можно сказать, что будут представлены 1,2-дюймовые (30 мм) модули для 1U серверов, типичные для индустрии с 1999 года, а также VLP-модули высотой 18,3 мм для Blade-серверов, 38 мм модули для 2U серверов и даже более "высокие" модули. Какова будет типичная ёмкость модулей памяти DDR3 DIMM? Ещё на стадии тестирования стандарта DDR3 производители работали с чипами ёмкостью 512 Мбит и создавали 1 Гб модули; теоретически ёмкость модулей DDR3 может достигать 8 Гбит. Типичная ёмкость модулей памяти DDR3 DIMM по мере роста популярности составит 1 Гб – 4 Гб, теоретически – до 32 Гб. Что касается модулей DDR3 SO-DIMM для мобильных ПК, появление образцов которых ожидается в ближайшее время, а начало массового производства (по крайней мере, компанией Samsung) запланировано на начало 2008 года, типичные ёмкости будут располагаться в диапазоне 512 Мб – 4 Гб. Первые модули памяти DDR3 DIMM, безусловно, будут недешёвым явлением. Как скоро ожидается снижение цен на модули памяти DDR3 DIMM до нормального "массового" уровня? Ожидается, что уже в 2007 году производители модулей памяти возьмут агрессивный старт на рынке DDR3, и, по мере становления и нарастания массовости платформ нового поколения, память будет дешеветь. По предварительным прогнозам Intel, память DDR3 получит определённое распространение уже в текущем году, а в 2008 году можно будет говорить об её массовости – по крайней мере, прогнозы iSuppli это подтверждают. Стандарт DDR3 есть, скоро будут платы, а успеют ли производители с чипами DDR3 и модулями DIMM к анонсу? Безусловно. Индустрия в целом готова к появлению DDR3, множество производителей чипов и памяти уже объявили о валидации своих изделий у Intel и готовности к массовому производству.
Полную линейку чипов, прошедших процесс тестирования, квалификации и валидации у Intel можно посмотреть на этой странице:
Validated DDR3 800/1066MHz SDRAM Components
Производители модулей также объявили о полной готовности. Так, компания Corsair уже представила 1 Гб модули DDR3-1066 DHX с таймингами 6-6-6-24, а на перспективу в серии DOMINATOR уже в этом квартале готовится выпуск модулей DDR3-1333 и выше. Компания OCZ Technology на днях представила свои наборы модулей PC3-8500 (1066 МГц, CL 7-7-7-21) в серии Gold Series (с позолоченными радиаторами XTC), в вариантах 2 x 512 Мб (OCZ3G10661GK) и 2 x 1 Гб (OCZ3G10662GK), а также наборы модулей PC3-10666 (1333 МГц, CL 9-9-9-26) той же серии в вариантах 2 x 512 Мб (OCZ3G13331GK) и 2 x 1 Гб (OCZ3G13332GK). Какое количество слотов под модули DDR3 DIMM будет типичным для новых систем?Первоначально идея использования ёмких 1 Гбит и 2 Гбит чипов преследовала цель уменьшить количество слотов на плате до двух без необходимости жертвовать количеством поддерживаемой памяти. Однако типичный покупатель всё же по-прежнему предпочитает апгрейдиться, осообенно пока память недёшева. Именно поэтому типичная материнская плата по-прежнему будет обладать четырьмя слотами DDR3 DIMM.
Когда поддержка DDR3 будет реализована компанией AMD?
Компания AMD, в числе других лидеров компьютерной индустрии, объявила о поддержке и планах перехода на память DDR3, однако лишь в отдалённой перспективе. Исследования в области поддержки DDR3 компания AMD ведёт в близком сотрудничестве с SimpleTech. Уже достоверно известно, что интегрированные контроллеры памяти процессоров AMD с рабочим названием Barcelona будут поддерживать модули DDR2-1066. Модули DDR2-1066 сейчас проходят процедуру стандартизации в организации JEDEC, и AMD планирует именно с помощью продления жизни DDR2 отсрочить переход на DDR3. Вспомните, та же самая ситуация складывалась и при переходе на DDR2, тогда AMD также достаточно долго не могла распрощаться с DDR. Ожидается, что впервые память DDR3 будет поддерживаться процессорами AMD под разъём AM3, и показаны такие чипы будут не ранее третьего квартала 2008 года. Сейчас специалисты AMD называют переход на массовое использование памяти DDR3 в настольных системах преждевременным – мол, мы подождём 2009 года, когда этот тип памяти станет достаточно массовым и относительно недорогим. Хотя, уже есть информация, что тестирование и валидация чипов компанией AMD, начавшаяся в 2007 году, "встанет на крыло" уже в 2008 году. Что ж, компании Intel вновь предложена роль "локомотива индустрии" в проталкивании новых стандартов. С другой стороны, нельзя не признать, что такое положение – за счёт предложения действительно передовых технологий и производительных решений, регулярно помогает ей, что называется, "снимать сливки". Так что же AMD? Увы, новое процессорное ядро с рабочим названием Griffin, появление которого можно ожидать в начале 2008 года, также будет обладать лишь встроенным контроллером памяти DDR2 - хоть и продвинутым, сдвоенным, с двумя независимыми режимами работы, но, тем не менее, без малейшего намёка на поддержку DDR3. Поскольку производственный цикл процессоров AMD в целом худо-бедно укладывается в 18-месячный цикл, так, приблизительно, и получится, что чипы AMD обзаведутся поддержкой DDR3 не ранее 2009 года, а то и позже. Какие чипсеты с поддержкой DDR3 от Intel можно ожидать в ближайшее время? Что и когда ожидается в рознице? Разумеется, в числе первых системных плат с поддержкой DDR3 стоит ожидать новинки на чипсетах нового поколения Intel 3 Series - те что носили собирательное рабочее название Intel Bearlake. Эти чипсеты будут поддерживать новые процессоры Intel Core c FSB 1333 МГц и новую оперативную память DDR3-1333. Впрочем, сразу стоит оговориться, что не каждый чипсет из семи, ожидаемых в серии Bearlake - X38, P35, G35, G33, G31, Q35 и Q31, будет работать с DDR3 (равно как и с новыми FSB 1333 МГц процессорами) – традиционно, речь идёт лишь о чипсетах для High-end и Mainstream рынка.
Полная официальная информация о чипсетах серии Intel 3 Series Bearlake появится на нашем сайте достаточно скоро. Для статьи FAQ по DDR3 мы подготовили специальную "облегчённую" таблицу, с уточнением поддержки стандартов оперативной памяти.
Спецификации чипсетов серии Intel 3 Series (Bearlake), поддержка DDR3
Чипсет |
X38 | P35 | G35 | G33 | G31 | Q35 | Q33 |
|
Рабочее название |
Bearlake X |
Bearlake P |
Broadwater |
Bearlake G |
Bearlake GZ |
Bearlake Q |
Bearlake QF |
|
| Примерная дата анонса | 3 квартал |
Июнь |
3 квартал |
Июнь |
3 квартал |
|||
| Сегмент рынка | Энтузиасты, геймеры |
Mainstream |
Value |
Business Mainstream |
Business Value |
|||
| Поддержка CPU | Core2 Extreme | |||||||
| Core2 Quad | ||||||||
| Core2 Duo | ||||||||
| Yorkdale | ||||||||
| Wolfdale | ||||||||
| FSB | 1333 МГц | |||||||
| 1066 МГц | ||||||||
| 800 МГц | ||||||||
| Память | Слотов | 4 (2 DIMM х 2 канала) |
||||||
| Max. ёмкость | ||||||||
| Поддержка | DDR3 / DDR2 |
DDR3 / DDR2 |
||||||
| FSB в сочетании с памятью | 1333 / DDR3-1333 | |||||||
| 1333 / DDR3-1066 | ||||||||
| 1333 / DDR3-800 | ||||||||
| 1066 / DDR3-1066 | ||||||||
| 1066 / DDR3-800 | ||||||||
| 800 / DDR3-800 | ||||||||
| 1333 / DDR2-800 | ||||||||
| 1333 / DDR2-667 | ||||||||
| 1066 / DDR2-800 | ||||||||
| 1066 / DDR2-667 | ||||||||
| 800 / DDR2-800 | ||||||||
| 800 / DDR2-667 | ||||||||
| Встроенная графика | Инт. ядро | 4 поколение |
3,5 поколение |
|||||
| DirectX | DX10 |
|||||||
| Кодек VC-1 | ||||||||
| Внешнее видео | PCIe 2х16 (5 Гб/с) |
PCIe x16 |
||||||
| Южный мост | ICH9 | |||||||
| ICH9R | ||||||||
| ICH9DO | ||||||||
| ICH9DH | ||||||||
| ICH8 | ||||||||
| ICH8R | ||||||||
| ICH8DH | ||||||||
| ICH7 | ||||||||
| ICH7DH | ||||||||
| Технологии | PCI Express 2.0 | |||||||
| AMT 3.0 | ||||||||
| VT-D | ||||||||
| TXT (LaGrande) | ||||||||
| Платформа | VPro | |||||||
| Viiv | ||||||||
Впрочем, для нас в рамках сегодняшнего материала самым интересным является то, что чипсеты Cantiga будут поддерживать FSB 1066 МГц, а также модули памяти SO-DIMM стандартов DDR2-667 (DDR2-800 поддерживаться не будет) и DDR3-800. Увы, в мобильном исполнении – начиная только с DDR3-800, но и это уже неплохо в плане экономичности, да и производительности. О более далёких перспективах DDR3 для мобильных платформ информации пока нет. Стоит ли в ближайшее время ожидать чипсеты для системных плат с поддержкой DDR3 от других производителей? Говоря о чипсетах DDR3, сразу же стоит оговориться, что пока что речь может идти лишь о поддержке платформ с процессорами Intel. Причина понятна: пока не появятся процессоры AMD с интегрированным контроллером памяти DDR3, говорить не о чем. Компания SiS обещает появление рабочих образцов первых собственных чипсетов с поддержкой DDR3 и встроенной DX10 графикой Mirage 4 уже в ближайшее время. Новые чипсеты, по предварительной информации, получат названия SiS673 и SiS673 FX. Чипсет SiS673 будет поддерживать процессоры Intel с FSB 1066 МГц и 2-канальную память DDR2-800/DDR3-1066, более производительный чипсет SiS673 FX сможет поддерживать DDR2-1066/DDR3-1333 и процессоры с FSB 1333 МГц. Массовое производство SiS673 может начаться в третьем квартале 2007. Первый дискретный северный мост SiS665 будет представлен ближе к концу 2007 года. Начало массового производства SiS665 сейчас позиционируется на 2008 год. Предполагается, что производством чипсета займется UMC с использованием 80-нм техпроцесса. Скорее всего, SiS665 будет поддерживать сразу два стандарта: DDR2 и DDR3. Согласно планам компании, SiS665 будет поддерживать шину PCI Express 2.0. Для рынка мобильных решений SiS планирует представить IGP-чипсеты с поддержкой DirectX 10 и памяти DDR3. Чипсет SiS M673 будет поддерживать "старые" процессоры Pentium 4 NetBurst, M673MX – Pentium M, оба будут работать с DDR3 и DDR2 с рабочими частотами 533/667 МГц. Оба чипсета – SiS M673 и SiS M673MX, будут работать с южными мостами SiS 968/969. Компания VIA Technology планирует представить чипсеты PM960 и PT960, поддерживающие процессоры Intel с шиной FSB 1333 МГц, память DDR3 и новый интерфейс PCI Express 2.0. Интегрированная версия - VIA PM960, с новым графическим ядром S3 Chrome 9 HD (450 МГц), станет основной для ПК класса Vista Premium Ready. Дискретный северный мост PT960 будет поддерживать одноканальную память DDR2-1066/DDR3-1333. Мы надеемся, что эта публикация поможет вам разобраться с новым стандартом оперативной памяти DDR3. Будем рады получить ваши замечания, критику, исправления и дополнения по этой сборке вопросов и ответов. В случае, если среди опубликованного нет ответа на ваш вопрос – пишите, FAQ будет постоянно дополняться и совершенствоваться.
Память: ОЗУ, DDR SDRAM, SDR SDRAM, PC100, DDR333, PC3200... как во всём этом разобраться? Давайте попробуем!
Итак, первое что мы должны сделать это "разгладить" все сомнения и вопросы по поводу номиналов на памяти...
Самые распространённые типы памяти это:
- SDR SDRAM (обозначения PC66, PC100, PC133)
- DDR SDRAM (обозначения PC266, PC333 и т.д. или PC2100, PC2700)
- RDRAM (PC800)
Теперь для последующих объяснений, расскажу про тайминги и частоты. Тайминг - это задержка между отдельными операциями, производимыми контроллером при обращении к памяти.
Если рассмотреть состав памяти, получим: всё её пространство представлено в виде ячеек (прямоугольники), которые состоят из определённого количества строк и столбцов. Один такой "прямоугольник" называется страницей, а совокупность страниц называется банком.
Для обращения к ячейке, контроллер задаёт номер банка, номер страницы в нём, номер строки и номер столбца, на все запросы тратится время, помимо этого довольно большая затрата уходит на открытие и закрытие банка после самой операции чтения/записи. На каждое действие требуется время, оно и называется таймингом.
Теперь рассмотрим поподробнее каждый из таймингов. Некоторые из них не доступны для настройки - время доступа CS# (crystal select ) этот сигнал определяет кристалл (чип) на модуле для проведения операции.
Кроме этого, остальные можно менять:
- RCD (RAS-to-CAS Delay) это задержка между сигналами RAS (Row Address Strobe) и CAS (Column Address Strobe) , данный параметр характеризует интервал между доступами на шину контроллером памяти сигналов RAS# и CAS# .
- CAS Latency (CL) это задержка между командой чтения и доступностью к чтению первого слова. Введена для набора адресными регистрами гарантированно устойчивого уровня сигнала.
- RAS Precharge (RP) это время повторной выдачи (период накопления заряда) сигнала RAS# - через какое время контроллер памяти будет способен снова выдать сигнал инициализации адреса строки.
- Precharge Delay (или Active Precharge Delay ; чаще обозначается как Tras ) это время активности строки. Т.е. период, в течение которого закрывается строка, если следующая требуемая ячейка находится в другой строке.
- SDRAM Idle Timer (или SDRAM Idle Cycle Limit ) количество тактов, в течение которых страница остаётся открытой, после этого страница принудительно закрывается, либо для доступа к другой странице, либо для обновления (refresh)
- Burst Length это параметр, который устанавливает размер предвыборки памяти относительно начального адреса обращения. Чем больше его размер, тем выше производительность памяти.
Примечание:
порядок операций именно таков (RCD-CL-RP), но зачастую тайминги записывают не по порядку, а по "важности" - CL-RCD-RP.
Ну вот, вроде разобрались с основными понятиями о таймингах, теперь рассмотрим подробнее номиналы памяти (PC100, PC2100, DDR333 и т.д.)
Существует два типа обозначений для одной и той же памяти: одно - по "эффективной частоте" DDRxxx, а второе - по теоретической пропускной способности PCxxxx.
Обозначение "DDRxxx" исторически развилось из последовательности названий стандартов "PC66-PC100-PC133" - когда было принято скорость памяти ассоциировать с частотой (разве что ввели новое сокращение "DDR" для того, чтобы отличать SDR SDRAM от DDR SDRAM). Одновременно с памятью DDR SDRAM появилась память RDRAM (Rambus), на которой хитрые маркетологи решили ставить не частоту, а пропускную способность - PC800. При этом ширина шины данных как была 64 бита (8 байт) - так и осталась, то есть те самые PC800 (800 МБ/с) получались умножением 100 МГц на 8. Естественно от названия ничего не поменялось, и PC800 RDRAM - суть та же самая PC100 SDRAM, только в другом корпусе... Это ничего больше, чем стратегия для продаж, грубо говоря "наколоть людей". В ответ компании, которые выпускают модули, стали писать теоретическую пропускную способность - PCxxxx. Так появились PC1600, PC2100 и следующие... При этом у DDR SDRAM эффективная частота выше в два раза, а значит и больше числа на обозначениях.
Вот пример соответствий обозначений:
- 100 МГц = PC1600 DDR SDRAM = DDR200 SDRAM = PC100 SDRAM = PC800 RDRAM
- 133 МГц = PC2100 DDR SDRAM = DDR266 SDRAM = PC133 SDRAM = PC1066 RDRAM
- 166 МГц = PC2700 DDR SDRAM = DDR333 SDRAM = PC166 SDRAM = PC1333 RDRAM
- 200 МГц = PC3200 DDR SDRAM = DDR400 SDRAM = PC200 SDRAM = PC1600 RDRAM
- 250 МГц = PC4000 DDR SDRAM = DDR500 SDRAM
Что же касается RAMBUS (RDRAM) писать много не буду, но всё же постараюсь ее вам представить.
Существует три разновидности RDRAM - Base , Concurrent и Direct . Base и Concurrent это практически одно и тоже, но Direct имеет приличные отличия, поэтому расскажу про первые две обобщённо, а про последнюю - поподробней.
Base RDRAM и Concurrent RDRAM в основном отличаются только рабочими частотами: для первой частота составляет 250-300 MHz, а для второй этот параметр, соответственно, равен 300-350 MHz. Данные передаются по два пакета данных за такт, так что эффективная частота передачи получается в два раза больше. Память использует восьми битную шину данных, что, следовательно, дает пропускную способность 500-600 Mb/s (BRDRAM) и 600-700 Mb/s (CRDRAM).
Direct RDRAM (DRDRAM) в отличие от Base и Concurrent, имеет 16-битную шину и работает на частоте 400 MHz. Пропускная способность Direct RDRAM составляет 1.6 Gb/s (учитывая двунаправленную передачу данных), что уже по сравнению с SDRAM (1 Gb/s для РС133) выглядит довольно неплохо. Обычно, говоря о RDRAM, подразумевают DRDRAM, поэтому буква "D" в названии часто опускается. При появлении этого типа памяти Intel создала чипсет для Pentium 4 - i850.
Самый большой плюс Rambus памяти это то, что чем больше модулей - тем больше пропускная способность, например до 1.6 Gb/s на один канал и до 6.4 Gb/s при четырех каналах.
Имеется также два недостатка, довольно значительных:
1. Лапки золотые и приходят в негодность, если плату памяти вытащить и вставить в слот больше 10 раз (примерно).
2. Завышенная цена, но многие находят очень хорошее применение этой памяти и готовы заплатить за них большие деньги.
Вот, пожалуй, и всё, мы разобрались с таймингами, названиями и номиналами, теперь я расскажу немного о различных немаловажных мелочах.
Вы наверняка видели в BIOS"e при настройках частоты памяти опцию By SPD что это значит? SPD - Serial Presence Detect , это микросхема на модуле, в которую зашиты все параметры для работы модуля, это так сказать "значения по умолчанию". Сейчас из-за появления "noname" компаний, стали записывать в этот чип имя производителя и дату.
Регистровая память
Registered Memory это память с регистрами, которые служат буфером между контроллером памяти и чипами модуля. Регистры уменьшают нагрузку на систему синхронизации и позволяют набирать очень большое количество памяти (16 или 24 гигабайт) не перегружая цепи контроллера.
Но данная схема имеет недостаток - регистры вносят задержку в 1 такт на каждую операцию, а значит - регистровая память медленнее обычной при прочих равных условиях. То есть - оверклокеру неинтересна (да и стОит она очень дорого).
Все сейчас кричат про Dual channel - что это?
Dual channel - двойной канал, это позволяет обращаться одновременно к двум модулям. Dual channel - это не тип модулей, а функция интегрированная в материнскую плату. Может быть задействована с двумя (желательно) идентичными модулями. Включается он автоматически при наличие 2-х модулей.
Примечание: чтобы активировать эту функцию, надо установить модули в слоты разных цветов.
Parity и ECC
Memory with Parity это память с проверкой чётности, способна детектировать некоторые типы ошибок.
Memory with ECC это память с коррекцией ошибок, позволяет найти, а также исправить ошибку одного бита в байте. Применяется в основном на серверах.
Примечание: она медленнее обычной, не годится для людей любящих скорость.
Надеюсь, после прочтения статьи вы разобрались с более популярными "непонятными понятиями".
Это модуль, функцией которого является хранение данных и предоставление их по требованию устройству или программе - по сути это посредник между процессором и дисковыми накопителями. RAM является энергозависимым устройством, т.е. может работать лишь пока на него подается питание, при отключении которого все данные теряются. Разберемся более подробно в характеристиках этого важнейшего устройства, без которого ваш ПК, смартфон, ноутбук или планшет будет обычной грудой железа.
Типы ОЗУ
RAM бывают нескольких типов, кардинально отличающихся характеристиками и архитектурой.
– синхронная динамическая память с произвольным доступом. Раньше была довольно популярной и использовалась почти во всех компьютерах, благодаря наличию синхронизации с системным генератором, который, в свою очередь, позволял контроллеру очень точно определять время, когда данные будут готовы. В итоге значительно уменьшилось время задержек по циклам ожидания в связи с доступностью данных на каждом такте таймера. Сегодня вытеснена более современными типами памяти.
– это динамическая синхронизированная память, в ее основе лежит принцип случайного доступа и двойная скорость обмена данными. Такой модуль обладает рядом положительных характеристик относительно SDRAM, важнейшая из которых – за 1 такт системного генератора осуществляется 2 операции, то есть при неизменной частоте пропускная способность на пике увеличивается в 2 раза.
– это следующая разработка, работает так же, как и у ОЗУ типа DDR, отличительная особенность данной модели заключается в удвоенной по объему выборке данных на такт (4 бита вместо 2х). Кроме того второе поколение стало более энергоэффективным, уменьшилось тепловыделение, а частоты выросли.
– новое поколение RAM, важнейшая отличительная особенность от DDR2 – выросшие частоты и уменьшенное потребление энергии. Также совершенно изменена конструкция ключей (специальные прорези для точного вхождения в слот).
Существуют модификации DDR3, отличающиеся еще меньшим потреблением энергии - DDR3L и LPDDR3 (напряжение у первой модели уменьшено до 1.35 В, а у второй до 1.2 В, тогда как у простых DDR3 оно равно 1.5В).
DDR4 SDRAM
- новейшее поколение оперативной памяти. Характеризуется выросшей до 3,2 Гбит/с скоростью обмена данными, увеличенной до 4266 МГц частотой и значительно улучшенной стабильностью.
RIMM (RDRAM, Rambus DRAM) – память, основанная на тех же принципах, что и DDR, но с повышенным уровнем тактовой частоты, что было достигнуто за счет меньшей разрядности шины. Также при адресации ячейки номера строки и столбца предаются одновременно.
Стоимость RIMM была намного выше, а производительность лишь немногим превышала DDR, в итоге RAM этого типа просуществовали на рынке недолго.
Выбирайте тип RAM не только исходя из потенциала и характеристик вашей материнской платы, но и учитывая совместимость с другими составляющими системы.
Варианты физического расположения чипов (упаковка)
Устанавливаемые на модули ОЗУ чипы памяти располагаются либо с одной стороны (одностороннее месторасположение), либо с двух (двустороннее). В последнем варианте модули получаются достаточно толстыми, что не позволяет установить их на отдельные ПК.
Форм-фактор это
Специально разработанный стандарт в котором описаны размеры модуля ОЗУ, общее количество и месторасположение контактов. Существует несколько типов форм-факторов:
SIMM
(Single in Line Memory Module) - 30 или 72 двухсторонних контакта;
RIMM – фирменный форм-фактор модулей RIMM (RDRAM). 184, 168 или 242 контакта;
DIMM
(Dual in Line Memory Module) – 168, 184, 200 или 240 независимых, расположенных по обеим сторонам модуля, контактных площадок.
FB-DIMM (Fully Buffered DIMM) – исключительно серверные модули. Идентичны по форм-фактору DIMM с 240 контактами, но используют лишь 96, за счет последовательного интерфейса. Благодаря присутствующей на каждом модуле микросхеме AMB (Advanced Memory Buffer) обеспечивается высокоскоростная буферизация и конверсия всех сигналов, в том числе и адресации. Также значительно улучшены производительность и масштабируемость. Совместимы только с аналогичной полностью буферизованной памятью.
LRDIMM
(Load Reduced Dual In-Line Memory Modules) – исключительно серверные модули. Оснащаются буфером iMB (Isolation Memory Buffer), снижающим нагрузку на шину памяти. Применяются для ускорения работы больших объемов памяти.
SODIMM
(Small Outline Dual In-Line Memory Module) – подвид DIMM с меньшими размерами для установки в портативные устройства, в основном - ноутбуки. 144 и 200 контактов, в более редком варианте - 72 и 168.
MicroDIMM (Micro Dual In-Line Memory Module) - еще уменьшенный SODIMM. Обычно имеют 60 контактов. Возможные реализации контактов - 144 SDRAM, 172 DDR и 214 DDR2.
Отдельного упоминания заслуживает низкопрофильная (Low Profile) память - созданные специально для невысоких серверных корпусов модули с меньшей, по сравнению со стандартными, высотой.
Форм-фактор является основным параметром совместимости RAM с материнской платой, поскольку при его несовпадении модуль памяти элементарно не получится вставить в слот.
Что такое SPD?
На каждой планке форм-фактора DIMM имеется маленький чип SPD (Serial Presence Detect), в котором зашиты данные о параметрах физических чипов. Данная информация имеет критическое значение для бесперебойной работы и считывается BIOS на этапе теста для оптимизации параметров доступа к ОЗУ.
Ранки модуля памяти и их количество
Блок памяти шириной 64 бита (72 для модулей с ECC), образованный N физическими чипами. Каждый модуль может иметь от 1 до 4 ранков, причем свое ограничение на количество ранков существует и у материнских плат. Поясним - если на материнскую плату может быть установлено не более 8 ранков, то это значит что суммарное количество ранков модулей RAM не может превышать 8, например, в данном случае - 8 одноранковых или 4 двухранковых. В независимости от того остались ли еще свободные слоты - при исчерпанном лимите ранков дополнительные модули будет установить невозможно.
Определить ранк для конкретного ОЗУ довольно просто. У компании Kingston количество ранков определяется одной из 3-х букв в центре маркировочного списка: S – это одноранговая, D – друхранговая, Q – четырехранговая. Например:
- KVR1333D3LS 4R9S/4GEC
- KVR1333D3LD 4R9S/8GEC
- KVR1333D3LQ 8R9S/8GEC
Прочие же производители указывают этот параметр как, например, 2Rx8, что означает:
2R - двухранковый модуль
x8 - ширина шины данных на каждом чипе
т.е. модуль 2Rx8 без ECC имеет 16 физических чипов (64х2/8).
Тайминги и латентность
Выполнение любой операции чипом памяти происходит за определенное число тактов системной шины. Требуемые для записи и считывания данных количества тактов и есть тайминги.
Латентность, если коротко - задержка обращения к страницам памяти, также измеряется в количестве циклов и записывается 3-я числовыми параметрами: CAS Latency, RAS to CAS Delay, RAS Precharge Time. Иногда добавляется четвертая цифра - «DRAM Cycle Time Tras/Trc», характеризующая общее быстродействие всей микросхемы памяти.
CAS Latency или CAS
(CL) – ожидание от момента, когда данные были запрошены процессором и до начала их считывания с RAM. Одна из важнейших характеристик определяющих скорость работы ОЗУ. Маленькое CL говорит о высоком быстродействии RAM.
RAS to CAS Delay (tRCD) - задержка между передачей сигнала RAS (Row Address Strobe) и CAS (Column Address Strobe), необходимая для четкого отделения этих сигналов контроллером памяти. Проще говоря - запрос на чтение данных включает в себя номера строки и столбца страницы памяти и эти сигналы должны быть отчетливыми, в противном случае будут возникать множественные ошибки данных.
RAS Precharge Time (tRP) - определяет время задержки между деактивацией текущей строки данных и активацией новой. Иначе говоря – интервал, спустя который контроллер может снова подать сигналы RAS и CAS.
Тактовая частота, частота передачи данных (Data rate)
Частота передачи данных (Иначе - скорость передачи данных) - максимально возможное число циклов передачи данных в секунду. Измеряется в гигатрансферах (GT/s) или мегатрансферах (MT/s).
Тактовая же частота определяет максимальную частоту системного генератора. Надо помнить, что DDR расшифровывается как Double Data Rate, что означает удвоенную частоту обмена данными относительно тактовой. Так, например для модуля DDD2-800 тактовая частота будет 400.
Пропускная способность (пиковая скорость передачи данных)
В упрощенном варианте рассчитывается как частота системной шины умноженная на передаваемый за такт объем данных.
Пиковая же скорость является произведением частоты и разрядности шины на количество каналов памяти (Ч×Р×К). На модуле памяти указывается как, например, PC3200, что, очевидно, означает - пиковая скорость передачи данных для этого модуля равна 3200 Мбайт/с.
Для оптимальной работы системы суммарное значение ПСПД планок памяти не должно превышать ПС шины процессора, исключением является двухканальный режим, когда планки будут занимать шину по очереди.
Что такое поддержка ЕСС (Error Correct Code)
Память с поддержкой ECC позволяет находить и исправлять спонтанные ошибки во время передачи данных. Физически ECC исполнена в виде дополнительного 8-разрядного чипа памяти на каждые 8 основных и представляет собой значительно улучшенный "контроль четности". Суть данной технологии состоит в отслеживании одного произвольно измененного в процессе записи/считывания 64-битного машинного слова бита с последующим его исправлением.
Буферизованная (регистровая) память
Характеризуется наличием на модуле RAM специальных регистров (буферов), обрабатывающих сигналы управления и адресации от контроллера. Несмотря на возникающий благодаря буферу дополнительный такт задержки, регистровая память тем не менее широко используется в профессиональных системах из-за пониженной нагрузки на систему синхронизации и значительно повышенной надежности.
Надо помнить, что буферизированная и небуферизированная память являются несовместимыми и не могут работать в одном устройстве.
Дата публикации:
25.06.2009
Как известно, оперативная память вкладывает большую составляющую в производительность компьютера. И понятно, что пользователи стараются увеличить объем оперативной памяти по максимуму.
Если года 2-3 назад на рынке было буквально несколько типов модулей памяти, то сейчас их значительно больше. И разобраться в них стало сложнее.
В этой статье мы рассмотрим различные обозначения в маркировке модулей памяти, чтобы вам проще в них было ориентироваться.
Для начала введем ряд терминов, котоыре нам понадобятся для понимания статьи:
- планка ("плашка") - модуль памяти, печатная плата с микросхемами памяти на борту, устанавливаемая в слот памяти;
- односторонняя планка - планка памяти, у которой микросхемы памяти расположены с 1 стороны модуля.
- двухсторонняя планка - планка памяти, у которой микросхемы памяти расположены с обоих сторон модуля.
- RAM (Random Access Memory, ОЗУ) - память с произвольным доступом, проще говоря - оперативная память. Это энергозависимая память, содержимое которой теряется при отсутствии питания.
- SDRAM (Synchronous Dynamic RAM) - синхронная динамическая оперативная память: все современные модули памяти имеют именно такое устройство, то есть требуют постоянной синхронизации и обновления содержимого.
Рассмотрим маркировки
- 4096Mb (2x2048Mb) DIMM DDR2 PC2-8500 Corsair XMS2 C5 BOX
- 1024Mb SO-DIMM DDR2 PC6400 OCZ OCZ2M8001G (5-5-5-15) Retail
Объем
Первым обозначением в строке идет объем модулей памяти. В частности, в первом случае это - 4 ГБ, а во втором - 1 ГБ. Правда, 4 ГБ в данном случае реализованы не одной планкой памяти, а двумя. Это так называемый Kit of 2 - набор из двух планок. Обычно такие наборы покупаются для установки планок в двухканальном режиме в параллельные слоты. Тот факт, что они имеют одинаковые параметры, улучшит их совместимость, что благоприятно сказывается на стабильности.
Тип корпуса
DIMM/SO-DIMM - это тип корпуса планки памяти. Все современные модули памяти выпускаются в одном из двух указанных конструктивных исполнений.
DIMM
(Dual In-line Memory Module) - модуль, у которого контакты расположены в ряд на обоих сторонах модуля.
Память типа DDR SDRAM выпускается в виде 184-контактных DIMM-модулей, а для памяти типа DDR2 SDRAM выпускаются 240-контактные планки.
В ноутбуках используются модули памяти меньших габаритов, называемые SO-DIMM (Small Outline DIMM).
Тип памяти
Тип памяти - это архитектура, по которой организованы сами микросхемы памяти. Она влияет на все технические характеристики памяти - производительность, частоту, напряжение питание и др.
На данный момент используется 3 типа памяти: DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM. Из них DDR3 - самые производительные, меньше всего потребляющие энергии.
Частоты передачи данных для типов памяти:
- DDR: 200-400 МГц
- DDR2: 533-1200 МГц
- DDR3: 800-2400 МГц
Цифра, указываемая после типа памяти - и есть частота: DDR400, DDR2-800 .
Модули памяти всех типов отличаются напряжением питания и разъемами и не позволяют быть вставленными друг в друга.
Частота передачи данных характеризует потенциал шины памяти по передаче данных за единицу времени: чем больше частота, тем больше данных можно передать.
Однако, есть еще факторы, такие как количество каналов памяти, разрядность шины памяти. Они также влияют на производительность подсистем памяти.
Для комплексной оценки возможностей RAM используется термин пропускная способность памяти. Он учитывает и частоту, на которой передаются данные и разрядность шины и количество каналов памяти.
Пропускная способность (B) = Частота (f) x разрядность шины памяти (c) x кол-во каналов (k)
Например, при использовании памяти DDR400 400 МГц и двухканального контроллера памяти пропускная способность будет:
(400 МГц x 64 бит x 2)/ 8 бит = 6400 Мбайт/с
На 8 мы поделили, чтобы перевести Мбит/с в Мбайт/с (в 1 байте 8 бит).
Стандарт скорости модуля памяти
В обозначении для облегчения понимания скорости модуля указывается и стандарт пропускной способности памяти. Он как раз и показывает, какую пропускную способность имеет модуль.
Все эти стандарты начинаются с букв PC и далее идут цифры, указывающие пропускную способность памяти в Мбайтах в секунду.
| Название модуля | Частота шины | Тип чипа | |
| PC2-3200 | 200 МГц | DDR2-400 | 3200 МБ/с или 3.2 ГБ/с |
| PC2-4200 | 266 МГц | DDR2-533 | 4200 МБ/с или 4.2 ГБ/с |
| PC2-5300 | 333 МГц | DDR2-667 | 5300 МБ/с или 5.3 ГБ/с 1 |
| PC2-5400 | 337 МГц | DDR2-675 | 5400 МБ/с или 5.4 ГБ/с |
| PC2-5600 | 350 МГц | DDR2-700 | 5600 МБ/с или 5.6 ГБ/с |
| PC2-5700 | 355 МГц | DDR2-711 | 5700 МБ/с или 5.7 ГБ/с |
| PC2-6000 | 375 МГц | DDR2-750 | 6000 МБ/с или 6.0 ГБ/с |
| PC2-6400 | 400 МГц | DDR2-800 | 6400 МБ/с или 6.4 ГБ/с |
| PC2-7100 | 444 МГц | DDR2-888 | 7100 МБ/с или 7.1 ГБ/с |
| PC2-7200 | 450 МГц | DDR2-900 | 7200 МБ/с или 7.2 ГБ/с |
| PC2-8000 | 500 МГц | DDR2-1000 | 8000 МБ/с или 8.0 ГБ/с |
| PC2-8500 | 533 МГц | DDR2-1066 | 8500 МБ/с или 8.5 ГБ/с |
| PC2-9200 | 575 МГц | DDR2-1150 | 9200 МБ/с или 9.2 ГБ/с |
| PC2-9600 | 600 МГц | DDR2-1200 | 9600 МБ/с или 9.6 ГБ/с |
| Тип памяти | Частота памяти | Время цикла | Частота шины | Передач данных в секунду | Название стандарта | Пиковая скорость передачи данных |
| DDR3-800 | 100 МГц | 10.00 нс | 400 МГц | 800 млн | PC3-6400 | 6400 МБ/с |
| DDR3-1066 | 133 МГц | 7.50 нс | 533 МГц | 1066 млн | PC3-8500 | 8533 МБ/с |
| DDR3-1333 | 166 МГц | 6.00 нс | 667 МГц | 1333 млн | PC3-10600 | 10667 МБ/с |
| DDR3-1600 | 200 МГц | 5.00 нс | 800 МГц | 1600 млн | PC3-12800 | 12800 МБ/с |
| DDR3-1800 | 225 МГц | 4.44 нс | 900 МГц | 1800 млн | PC3-14400 | 14400 МБ/с |
| DDR3-2000 | 250 МГц | 4.00 нс | 1000 МГц | 2000 млн | PC3-16000 | 16000 МБ/с |
| DDR3-2133 | 266 МГц | 3.75 нс | 1066 МГц | 2133 млн | PC3-17000 | 17066 МБ/с |
| DDR3-2400 | 300 МГц | 3.33 нс | 1200 МГц | 2400 млн | PC3-19200 | 19200 МБ/с |
В таблицах указываются именно пиковые величины, на практике они могут быть недостижимы.
Производитель и его part number
Каждый производитель каждому своему продукту или детали дает его внутреннюю производственную маркировку, называемую P/N (part number) - номер детали.
Для модулей памяти у разных производителей она выглядит примерно так:
- Kingston KVR800D2N6/1G
- OCZ OCZ2M8001G
- Corsair XMS2 CM2X1024-6400C5
На сайте многих производителей памяти можно изучить, как читается их Part Number.
Модули Kingston
семейства ValueRAM:
Модули Kingston семейства HyperX (с дополнительным пассивным охлаждением для разгона):
По маркировке OCZ можно понять, что это модуль DDR2 объемом 1 Гбайт, частотой 800 МГц.
По маркировке CM2X1024-6400C5 понятно, что это модуль DDR2 объемом 1024 Мбайт стандарта PC2-6400 и задержками CL=5.
Некоторые производители вместо частоты или стандарта памяти указывают время в нс доступа к чипу памяти. По этому времени можно понять, какая используется частота.
Так поступает Micron: MT47H128M16HG-3
. Цифра в конце обозначает, что время доступа - 3 нс (0.003 мс).
По известной форуме T=1/f частота работы чипа f=1/T
: 1/0,003 = 333 МГц.
Частота передачи данных в 2 раза выше - 667 МГц.
Соответственно, данный модуль DDR2-667.
Тайминги
Тайминги - это задержки при обращении к микросхемам памяти. Естественно, чем они меньше - тем быстрее работает модуль.
Дело в том, что микросхемы памяти на модуле имеют матричную структуру - представлены в виде ячеек матрицы с номером строки и номером столбца.
При обращении к ячейке памяти считывается вся строка, в которой находится нужная ячейка.
Сначала происходит выбор нужной строки, затем нужного столбца. На пересечении строки и номера столбца и находится нужная ячейка. С учетом огромных объемом современной RAM такие матрицы памяти не целиковые - для более быстрого доступа к ячейкам памяти они разбиты на страницы и банки.
Сначала происходит обращение к банку памяти, активизация страницы в нем, затем уже происходит работа в пределах текущей страницы: выбор строки и столбца.
Все эти действия происходит с определенно задержкой друг относительно друг друга.
Основные тайминги RAM - это задержка между подачей номера строки и номера столбца, называемая временем полного доступа (RAS to CAS delay, RCD ), задержка между подачей номера столбца и получением содержимого ячейки, называемая временем рабочего цикла (CAS latency, CL ), задержка между чтением последней ячейки и подачей номера новой строки (RAS precharge, RP ). Тайминги измеряются в наносекундах (нс).
Эти тайминги так и идут друг за другом в порядке выполнения операций и также обозначаются схематично 5-5-5-15 . В данном случае все три тайминга по 5 нс, а общий рабочий цикл - 15 нс с момента активизации строки.
Главным таймингом считается CAS latency , который часто обозначается сокращенно CL=5 . Именно он в наибольшей степени "тормозит" память.
Основываясь на этой информации, вы сможете грамотно выбрать подходящий модуль памяти.
